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NAND01GR3B2CZA6E 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 STM/信盛

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  • 廠家型號(hào)：

    NAND01GR3B2CZA6E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STM

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    16180

  • 產(chǎn)品封裝：

    VFBGA63

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2016+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 22:58:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NAND01GR3B2CZA6E品牌：STM

只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!

  • 芯片型號(hào)：

    NAND01GR3B2CZA6E

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    62 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    711.53 kb

  • 資料說明：

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NAND01GR3B2CZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（9.5x12）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝先生

  • 手機(jī)：

    13682335883

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83221677

  • 傳真：

    0755-83234215

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407

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