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NTD3808N	文件：260.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=16V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD3808N	文件：99.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET16V,76A,SingleN-Channel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PE3808	文件：271.82 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYSMCPLUGTOSMCPLUG	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE3808LF	文件：281.35 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG316/USMCPLUGTOSMCPLUG(LEADFREE)	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PEC3808AS-AU	文件：221.7 Kbytes Page：6 Pages	ESDProtection Features ?ISO10605(C=330pF,R=330Ω): -±30kVAir,±30kVContactfor8V~24V -±25kVAir,±20kVContactfor36V ?HBM≧±8KV&CDM≧±2KV ?ISO7637-3(Note3): -Pulse3a:VS=-150V -Pulse3b:VS=+100V ?IEC61000-4-5(Lightning):8~1.5A(8/20uS) ?AEC-Q101qualified ?Leadfreeincom	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PEC3808CS-AU	文件：220.81 Kbytes Page：6 Pages	ESDProtection Features ?ISO10605(C=330pF,R=330Ω): -±30kVAir,±30kVContactfor8V~24V -±25kVAir,±20kVContactfor36V ?HBM≧±8KV&CDM≧±2KV ?ISO7637-3(Note3): -Pulse3a:VS=-150V -Pulse3b:VS=+100V ?IEC61000-4-5(Lightning):8~1.5A(8/20uS) ?AEC-Q101qualified ?Leadfreeincom	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
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SIT3808	文件：629.45 Kbytes Page：16 Pages	1MHzto80MHzHighPerformanceMEMSVCXO	SITIMESiTime Corp. 賽特時(shí)脈美商賽特時(shí)脈股份有限公司	SITIME
SiT3808-x	文件：754.187 Kbytes Page：16 Pages	SiTime晶振SiT3808壓控晶振選型手冊(cè)下載	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 揚(yáng)興深圳揚(yáng)興科技有限公司	YXC
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SMZJ3808A	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Forsurfacemountapplications ?Glasspassivatedchipjunction ?LowZenerimpedance ?Lowregulationfactor ?Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
SMZJ3808A	文件：104.28 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes FEATURES ?Lowprofilepackage ?Idealforautomatedplacement ?Glasspassivatedchipjunction ?LowZenerimpedance ?Lowregulationfactor ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Solderdip260°C,40s ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SMZJ3808B	文件：1.178857 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE

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更多MX-3808供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-21 10:00:00

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