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MUR410-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AD，軸向；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MURC410	文件：285.43 Kbytes Page：4 Pages	MURC405-MURC460UltrafastSiliconDie	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
MURS410	文件：702.06 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSUPERFASTRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
MURS410	文件：176.19 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MURS410	文件：149 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTRECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MURS410	文件：157.77 Kbytes Page：2 Pages	4.0ASURFACEMOUNTULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
NBB-410	文件：45.78 Kbytes Page：4 Pages	BiasSchemeforNBB-SeriesAmplifiers Introduction RFMD’sNBB-seriesamplifiersaremonolithicintegratedcircuits(ICs)usingInGaP/GaAsHBTtechnology.TheNBB-seriesusesaDarlington-pairtransistorconfigurationwithbiasandfeedbackresistorsproperlyselectedtodeterminethegain,inputandoutputmatchandbias(bothvoltag	RFMD RF Micro Devices	RFMD
NDB410A	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410A	文件：344.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB410AE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410AE	文件：344.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB410B	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410B	文件：344.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB410BE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB410BE	文件：344.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP410A	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP410A	文件：295.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP410AE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP410AE	文件：295.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP410B	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MUR410-TP
制造商：
Micro Commercial Co
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
電流 - 平均整流 (Io)：
4A
速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
DO-201AD，軸向
供應(yīng)商器件封裝：
DO-201AD
工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MUR410-TP	Micro Commercial Co	24+	DO-201AD	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MUR410整流二極管	ON/安森美	23+	NA	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	MUR410整流二極管	ON/安森美	2022	NA	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市云美電子科技有限公司	MUR410整流二極管	ON/安森美	22+	DO201AD	34137	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MUR415		24+		5000	公司存貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	MUR415	BILIN	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	MUR415	MOT	23+	DO-201A	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	MUR415	LRC/樂山無線電	22+	DO-201AD	50000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	MUR415	ON-SEMI	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MUR415	ON	20+	DO-201AE	36800	原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)

更多MUR410-TP供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00

產(chǎn)品屬性

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