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MTV6N100E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTV6N100E
廠商型號

MTV6N100E

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.98 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-27 11:46:00

MTV6N100E規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MTV6N100E

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全稱:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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