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RB461F

SCHOTTKYDIODE

FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:0.7A Reversevoltage VR:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

RB461F

Schottkybarrierdiode

Features ●Smallsurfacemountingtype.(UMD3) ●UltralowVF.(VF=0.45VTyp.at0.7A) ●IF=0.7Aguaranteeddespitethesize.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

RB461F

Schottkybarrierdiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB461F

Schottkybarrierdiode

Features Highreliability Smallmoldtype SuperlowVF Application Generalrectification Structure Siliconepitaxialplanar

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB461F

SCHOTTKYDIODE

FEATURES ●Low-powerrectification ●Forswitchingpowersupply ●UltralowVF.(VF=0.45VTyp.at0.7A) ●IF=0.7Aguaranteeddespitethesize.

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

RB461F

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB461F

Schottkybarrierdiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB461F

SchottkyBarrierDiode

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

RB461F

SchottkyBarrierDiode

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

RB461F

700mASchottkyBarrierDiode20Volts

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

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OMRON
20+
傳感器
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更多MSF-461供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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