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MSE20N06N	文件：448.48 Kbytes Page：3 Pages	Low RDS(on) trench technology	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB20N06FP	文件：382.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB20N06FP	文件：1.48658 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
MTB20N06KFP	文件：449.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTD20N06	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20N06HD	文件：274.88 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20N06HD	文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET20Amps,60VoltsN??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N06HDL	文件：227.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevelN??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N06HDL	文件：293.47 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20N06V	文件：176.95 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N06V	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP20N06	文件：209.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP20N06	文件：301.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP20N06V	文件：209.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju	Motorola Motorola, Inc	Motorola
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NTD20N06	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?LowerRDS(on) ?LowerVDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N??hannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?LowerRDS(on) ?LowerVDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?LowerandTighterVSD	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTD20N06G	文件：897.01 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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