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MS1006分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1006
廠商型號

MS1006
參數(shù)屬性

MS1006 封裝/外殼為M135；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
功能描述

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
封裝外殼

M135
文件大小

104.72 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-13 18:26:00

MS1006規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The MS1006 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.

Features

? Optimized for SSB

? 30 MHz

? 50 Volts

? Common Emitter

? Gold Metallization

? POUT = 75 W Min.

? GP = 14 dB Gain

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MS1006

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 增益：

    14dB

  • 功率 - 最大值：

    127W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    19 @ 1.4A，6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    3.25A

  • 工作溫度：

    200°C

  • 安裝類型：

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    M135

  • 供應商器件封裝：

    M135

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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