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MS1004分立半導體產品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1004
廠商型號

MS1004

參數屬性

MS1004 封裝/外殼為M177;包裝為托盤;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產品描述:RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

功能描述

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

文件大小

119.55 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-7 14:19:00

MS1004規(guī)格書詳情

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers

● Schottky barrier rectifer

● Guard ring protection

● Low power loss, high efficiency

● VRRM 30 to 40 Volts

● Reverse energy tested)

MS1004屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。美高森美公司制造生產的MS1004晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

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  • 產品編號:

    MS1004

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 最大值:

    330W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 10A,6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    40A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    M177

  • 供應商器件封裝:

    M177

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
只做原裝
21+
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Microsemi/美高森美
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