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MRFG35010NT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.ThisdeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. ?TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRFG35010NT1

Package:PLD-1.5;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFG35010NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
1688
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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PLD-1.5
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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現(xiàn)貨供應
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更多MRFG35010NT1供應商 更新時間2025-3-6 10:30:00