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MRFG35030R5

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3550MHz,30W,12VSINGLEW?CDMAPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLLbasestationapplicationswithfrequenciesfrom3400to3600MHz.SuitableforTDMAandCDMAamplifierapplications.TobeusedinClassABapplications. ?TypicalSingle?CarrierW?CDMAPerformance:VDD=12Volts,IDQ=65

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35030R5

Package：HF-600；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ HF-600

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRFG35030R5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    pHEMT FET

  • 頻率：

    3.55GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 輸出：

    3W

  • 封裝/外殼：

    HF-600

  • 描述：

    FET RF 15V 3.55GHZ HF-600

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Freescale
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多MRFG35030R5供應(yīng)商 更新時間2025-3-6 13:30:00

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