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MRF9080LR3

RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs)

RFPowerFieldEffectTransistors N?ChannelEnhancement?ModeLateralMOSFETs DesignedforGSM900MHzfrequencyband,thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin26voltbasestationequipment. ?TypicalPer

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF9080LR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF9080LR3

Package:SOT-957A;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 960MHZ NI-780

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF9080LR3_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產品屬性

  • 產品編號:

    MRF9080LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 功率 - 輸出:

    70W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 65V 960MHZ NI-780

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF9080LR3供應商 更新時間2025-4-13 10:20:00