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MRFE6P3300HR5

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

860MHz,300W,32VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom470to860MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin32voltana

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6P3300HR5

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:NI-860C3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 66V 863MHZ NI-860C3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6P3300HR5

RFPowerFieldEffectTransistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P3300HR5

RFPowerFieldEffectTransistor(N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET)

470-860MHz,300W,32VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom470to860MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin32vol

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFE6P3300HR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    857MHz ~ 863MHz

  • 增益:

    20.4dB

  • 功率 - 輸出:

    270W

  • 封裝/外殼:

    NI-860C3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-860C3

  • 描述:

    FET RF 66V 863MHZ NI-860C3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCALE
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633
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2020+
原廠封裝
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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全新原裝房間現(xiàn)貨 可長(zhǎng)期供貨
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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5500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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NXP USA Inc.
2022+
NI-860C3
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
更多MRFE6P3300HR5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 10:30:00