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MRF8S21200HR6 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 FSL

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原廠料號：MRF8S21200HR6品牌：FSL

全新原裝假一賠十

MRF8S21200HR6是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商FSL/NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝原廠原包裝/NI-1230的MRF8S21200HR6晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    MRF8S21200HR6

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FREESCALE【飛思卡爾】詳情

  • 廠商全稱：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 中文名稱：

    飛思卡爾半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大?。?/span>

    586.18 kb

  • 資料說明：

    RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF8S21200HR6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    2.14GHz

  • 增益：

    18.1dB

  • 功率 - 輸出：

    48W

  • 封裝/外殼：

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-1230

  • 描述：

    FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    上海意淼電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機：

    13681678667

  • 詢價：
  • 電話：

    021-61316768

  • 傳真：

    021-61316867/021-64560311

  • 地址：

    上海市寶山區(qū)大場鎮(zhèn)錦秋路699弄錦秋花園

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