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MRF8P8300HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforW--CDMAandLTEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom790to820MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF8P8300HSR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAandLTEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom750to820MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--C

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRF8P8300HSR6

Package:NI-1230S;包裝:散裝 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產品屬性

  • 產品編號:

    MRF8P8300HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    820MHz

  • 增益:

    20.9dB

  • 功率 - 輸出:

    96W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S

  • 供應商器件封裝:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
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23+
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多MRF8P8300HSR6供應商 更新時間2025-4-4 16:04:00