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MRF8P20165WHSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8P20165WHSR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF8P20165WHSR3

包裝：管件 封裝/外殼：NI-780S-4L 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF8P20165WHSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.98GHz ~ 2.01GHz

  • 增益：

    14.8dB

  • 功率 - 輸出：

    37W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S-4L

  • 描述：

    FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MRF8P20165WHSR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 14:32:00

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