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MRF8372G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF8372G
廠商型號

MRF8372G

參數(shù)屬性

MRF8372G 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

62.55 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-14 14:45:00

MRF8372G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the 800 MHz and UHF frequency ranges.

Features

? Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics

? Output Power = 750 mW

? Minimum Gain = 8.0dB

? Efficiency 60 Typical

? Cost Effective SO-8 package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8372G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    16V

  • 頻率 - 躍遷:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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