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MRF837分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF837
廠商型號

MRF837

參數(shù)屬性

MRF837 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

功能描述

NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

25.44 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-27 22:58:00

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MRF837規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI MRF837 is Designed primerily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges.

FEATURES INCLUDE:

? Min gain 8.0 dB @ 750 mW/870 MHz

? Silicon Nitride passivated

? Low cost Plastic Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8372G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    16V

  • 頻率 - 躍遷:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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