MRF837分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
MRF837 |
參數(shù)屬性 | MRF837 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
功能描述 | NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
25.44 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ASI |
中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-27 22:58:00 |
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MRF837規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The ASI MRF837 is Designed primerily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges.
FEATURES INCLUDE:
? Min gain 8.0 dB @ 750 mW/870 MHz
? Silicon Nitride passivated
? Low cost Plastic Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF8372G
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
16V
- 頻率 - 躍遷:
870MHz
- 增益:
8dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值:
2.2W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 50mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
200mA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SO
- 描述:
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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