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MRF8372

Marking:8372;Package:SO-8;RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. ?Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) ?State–of–the–ArtTechno

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF8372

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedprimarilyforwidebandlargesignalstagesinthe800MHzandUHFfrequencyranges. Features ?Specified@12.5V,870MHzcharacteristics ?OutputPower=750mW ?MinimumGain=8.0dB ?Efficiency60Typical ?CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF8372

NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF8372isDesignedforWidebandlargesignalstagesinthe800MHzandUHFfrequencyranges. FEATURES: ?POUT=750mW ?PG=8.0dBmin. ?η=60typical ?R1suffix–TapeandReel,500units ?R2suffix–TapeandReel,2500units

ASI

Advanced Semiconductor

MRF8372

包裝：帶 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF8372G

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedprimarilyforwidebandlargesignalstagesinthe800MHzandUHFfrequencyranges. Features ?Specified@12.5V,870MHzcharacteristics ?OutputPower=750mW ?MinimumGain=8.0dB ?Efficiency60Typical ?CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF8372R1

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. ?Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) ?State–of–the–ArtTechno

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF8372R2

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. ?Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) ?State–of–the–ArtTechno

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF8372GR1

包裝：帶 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF8372GR2

包裝：帶 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

NIPCIE-8372

PCIExpresscontrolofPXIExpress/CompactPCIExpress

NI

National Instruments Inc.

NIPXIE-PCIE8372

PCIExpresscontrolofPXIExpress/CompactPCIExpress

NI

National Instruments Inc.

PM8372

4-PortFC/GERetimerandFC-ALPortBypassController

GENERAL ?Supports4FibreChannelPhysicalInterfacesat1.0625or2.125Gbit/sperFibreChannel–PhysicalInterface(FC-PI)or4GigabitEthernetRetimersat1.25Gbit/sperIEEE802.3z. ?EachportsupportsFC1Gor2Gratedetection/auto-selection. ?SupportsArbitratedLoopandRet

PMC

PMC-Sierra, Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF8372

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    16V

  • 頻率 - 躍遷：

    870MHz

  • 增益：

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值：

    2.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SO

  • 描述：

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF8372供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 15:30:00

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