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MMST3904

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Powerdissipation.(PC=0.2W) ●ComplementstheMMST3906. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMST3904

SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)

RECTRON

Rectron Semiconductor

MMST3904

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MMST3904

150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS

DIODES

Diodes Incorporated

MMST3904

NPNGeneralPurposeTransistor

Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT3906/SST3906/MMST3906 /2N3906.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

MMST3904

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?BVCEO>40V ?IC=200mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryPNPType:MMST3906 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualified

DIODES

Diodes Incorporated

MMST3904

NPNSmallSignalTransistors

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeavailable(MMST3906) ?Ultra-smallsurfacemountpackage ?Marking:K2N ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Moisu

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MMST3904

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MMST3904

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●ComplementarytoMMST3906

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

MMST3904

NPNGeneralPurposeTransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

MMST3904

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST3906) Ultra-SmallSurfaceMountPackage

TRSYS

Transys Electronics

MMST3904

NPNSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MMST3904

60VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MMST3904

SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST3906

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

MMST3904

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Powerdissipation.(PC=0.2W)APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

MMST3904

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentBASE ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

MMST3904

NPNSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MMST3904

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMST3904

NPNGeneralPurposeTransistor

Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT3906/SST3906/MMST3906 /2N3906.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

MMST3904

NPNGeneralPurposeAmplifier

Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●HighConductance ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion

FS

First Silicon Co., Ltd

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MMPQ3904_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
舊
46
真實現(xiàn)貨庫存
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16-SOIC(0.154 3.90mm 寬)
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更多MMPQ3904_Q供應商 更新時間2025-1-11 16:00:00

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