訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>MMBT6428LT1G>芯片詳情
MMBT6428LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:MMBT6428LT1G品牌:ON
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
MMBT6428LT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的MMBT6428LT1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
MMBT6428LT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
600mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 100μA,5V
- 頻率 - 躍遷:
700MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機(jī):
18922805453
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓
相近型號
- MMBT7002W
- MMBT6426LT1G
- MMBT8050
- MMBT5962
- MMBT8050C
- MMBT593
- MMBT8050CW(1.5A)
- MMBT589LT1G
- MMBT8050D
- MMBT589
- MMBT8050D(1.5A)-Y1
- MMBT5819LT1G
- MMBT8050LT1
- MMBT5771
- MMBT8050LT1G
- MMBT5770
- MMBT8099LT1G
- MMBT555LT1G
- MMBT8550C
- MMBT55551
- MMBT8550C(1.5A)
- MMBT5551-TP
- MMBT8550C(B9C)
- MMBT5551Q-7-F
- MMBT8550D
- MMBT5551Q-7
- MMBT8550D(1.5A)-Y2
- MMBT5551Q
- MMBT8550D(2TY)
- MMBT5551M3T5G
- MMBT5551LT3G
- MMBT8550LT1
- MMBT8550LT1G
- MMBT5551LT1G
- MMBT9012G
- MMBT5551LT1
- MMBT9012G-I-AE3-R
- MMBT5551LT
- MMBT9012H
- MMBT5551L-C-AE3-R
- MMBT9012LT1G
- MMBT5551L-B-AE3-R
- MMBT9013G
- MMBT5551L-A-AE3-R
- MMBT9013G-G-AE3-R
- MMBT5551G-C-AE3-R
- MMBT9013G-H-AE3-R
- MMBT5551G-C
- MMBT9013G-I-AE3-R
- MMBT5551G-B-AE3-R