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MK5812SLFTR

LOW EMI CLOCK GENERATOR

Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputfrequencyrangeof8to64MHz ?2Xfrequencymultiplic

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

MK5812SLFTR

包裝:管件 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 類(lèi)別:集成電路(IC) 時(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器 描述:IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

MRF5812

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF5812

NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: ?LowNoise–2.5dB@500MHz ?Ftau–5.0GHz@10V,75mA ?CostEffectiveSO-8package

ASI

Advanced Semiconductor

MRF5812

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812G

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

NTE5812

6AmpPlasticSiliconRectifier

6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody

NTE

NTE Electronics

NTE5812

NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier

6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody

NTE

NTE Electronics

NTE5812HC

10AmpPlasticSiliconRectifier

NTE

NTE Electronics

PT5812

20AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

PT5812A

20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

PT5812C

20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

PT5812N

20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

S5812

DIGITALAUDIODATATRANSFORMER

BOTHHAND

Bothhand USA

S5812

DIGITALAUDIODATATRANSFORMER

BOTHHAND

Bothhand USA

SM5812

AmplifiedPressureSensor

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

SZ5812

5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES

SSDI

Solid States Devices, Inc

TL5812

VACUUMFLUORESCENTDISPLAYDRIVERS

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TL5812

VACUUMFLUORESCENTDISPLAYDRIVERS

TI1Texas Instruments

德州儀器

TL5812FN

VACUUMFLUORESCENTDISPLAYDRIVERS

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MK5812SLFTR

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 時(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器

  • 包裝:

    管件

  • 類(lèi)型:

    時(shí)鐘發(fā)生器

  • PLL:

  • 輸入:

    時(shí)鐘,晶體

  • 輸出:

    LVCMOS

  • 比率 - 輸入:

    1:1

  • 差分 - 輸入:

    無(wú)/無(wú)

  • 頻率 - 最大值:

    64MHz

  • 分頻器/倍頻器:

    無(wú)/是

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.63V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 85°C

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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本公司只售原裝 支持實(shí)單
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SOP8
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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Renesas Electronics America In
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8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)
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更多MK5812SLFTR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 15:54:00