首頁>MJE803G>詳情

MJE803G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

MJE803G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MJE803G品牌：ON Semiconductor

加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物

MJE803G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON Semiconductor/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-225AA，TO-126-3的MJE803G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    MJE803G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大小：

    140.21 kb

  • 資料說明：

    Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MJE803G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.8V @ 40mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 2A，3V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇欣科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機：

    137-5109-0307

  • 詢價：
  • 電話：

    137-5109-0307/0755-83946758

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號403

相近型號