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MJE803G_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個-安森美半導體

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原廠料號：MJE803G品牌：onsemi

資料說明：TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

MJE803G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝TO-225AA，TO-126-3的MJE803G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    mje803g

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MJE803G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.8V @ 40mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 2A，3V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
23+
標準封裝
8048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價
ON/安森美
21+
NA
350
只做原裝,假一罰十
 詢價
ON
24+
TO-225
8866
詢價
ON
23+
TO-225
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
ON
24+
TO-126
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
ON
23+
TO-126
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
ON Semiconductor
2010+
N/A
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