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MJD210RL	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210RL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 25V 5A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 25V 5A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE210	文件：195.25 Kbytes Page：6 Pages	PNP(COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTER) COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTER SATURATIONVOLTAGE HIGHCURRENTGAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MINfT=65MHz@Ic=-100mA ComplementarytoMJE200	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
MJE210	文件：63.53 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE210isasiliconEpitaxial-BasePNPtransistorinJedecSOT-32plasticpackage,designedforlowvoltage,lowpower,highgainaudioamplifierapplications. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■PNPTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
MJE210	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain-hFE=70(Min)@IC=500mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE210	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	5AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON25VOLTS15WATTS ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE=70(Min)@IC=500mAdc High	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJE210	文件：41.14 Kbytes Page：4 Pages	Feature Feature ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=-100mA(Min.) ?ComplementtoMJE200	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJE210	文件：47.62 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■PNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE210isasiliconEpitaxial-BasePNP transistorinJedecSOT-32plasticpackage, designedforlowvoltage,lowpower,highgain audioamplifierapplications.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
MJE210	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE210	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MJE210	文件：820.3 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,highcurrentgainbandwidthproduct,ComplementtoMJE200. Applications Designedforgeneralaudioamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
MJE210G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE210G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage ?HighCurrent?Gain?BandwidthProduct ?AnnularConstructionforLowLeakage ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE210STU	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJE210T	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE210TG	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MJD210RL
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
托盤
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
頻率 - 躍遷：
65MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
描述：
TRANS PNP 25V 5A DPAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJD210RL		24+		5000	公司存貨	詢價
深圳市弘為電子有限公司	MJD210RL	ONSEMICONDU	16+	原裝進口原廠原包接受訂貨	1239	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	MJD210RL	MOT	24+	SOT-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市英科美電子有限公司	MJD210RL	Motorola	2021+	N/A	6800	只有原裝正品	詢價
深圳市華來深電子有限公司	MJD210RL	ON	23+	TO-252	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	MJD210RL	MOT	23+	NA	13392	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	MJD210RL	ON	2020+	SOT-252	9500	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MJD210RL	MOTOROLA/摩托羅拉	1948+	TO252	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	MJD210RL	ONS	2020+	DPAK	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	MJD210RL	ON/安森美	22+	SOT252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價

更多MJD210RL供應(yīng)商更新時間2024-11-2 12:03:00

產(chǎn)品屬性

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