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MJ11032分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJ11032
廠商型號(hào)

MJ11032

參數(shù)屬性

MJ11032 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

功能描述

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

封裝外殼

TO-204AE

文件大小

84.48 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-17 15:16:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJ11032

  • 別名:

    MJ11032三極管、MJ11032晶體管、MJ11032晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    50A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    50

  • wtest:

    300

MJ11032規(guī)格書詳情

High-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features

? High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ Ic = 25Adc

hFE = 400 (Min)@ Ic = 50 Adc

? Curves to 100 A (Pulsed)

? Diode Protection to Rated Ic

? Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistor

? Junction Temperature to + 200 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJ11032

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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