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MJ11030分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJ11030
廠商型號

MJ11030

參數屬性

MJ11030 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

文件大小

153.97 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-26 22:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    MJ11030

  • 別名:

    MJ11030三極管、MJ11030晶體管、MJ11030晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質:

    開關管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    50A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍數:

    β>1000

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    90

  • htest:

    999900

  • atest:

    50

  • wtest:

    300

MJ11030規(guī)格書詳情

MJ11030屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJ11030晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

High?Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features

? High DC Current Gain ? hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc

hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc

? Curves to 100 A (Pulsed)

? Diode Protection to Rated IC

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistor

? Junction Temperature to +200°C

? Pb?Free Packages are Available*

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJ11030

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

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