MJ11032分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MJ11032 |
| 參數(shù)屬性 | MJ11032 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 |
| 功能描述 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 文件大小 |
121.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-3 19:10:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
MJ11032三極管、MJ11032晶體管、MJ11032晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
50A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
300W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
50
- wtest：
300
MJ11032規(guī)格書詳情
MJ11032屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJ11032晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MJ11032
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M |
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TO 3 |
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