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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MGW20N60D	文件：246.08 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MHF20N60CT	文件：2.68645 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MSAFX20N60A	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastbodydiode ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Reversepolarityavailableuponrequest	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSW20N60	文件：480.56 Kbytes Page：4 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NCE20N60	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE20N60F	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
P20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
PCFC20N60W	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
PSM20N60CT	文件：955.76 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM20N60CTB	文件：993.67 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM20N60CTF	文件：979.83 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM20N60PT	文件：1.02969 Mbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RLBGB20N60	文件：806.53 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,20A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS, general	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLFGB20N60CT	文件：494.23 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELIGBT FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.6V,IC=20AandTC=25°C APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLGB20N60CT	文件：471.1 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features ?600V,20A ?VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLPGB20N60CT	文件：814.08 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features ?600V,20A ?VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UP	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLTPGB20N60CT	文件：674.68 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.85VIC=20AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RM20N60LD	文件：325.79 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM20N60LDV	文件：482.66 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMD20N60DF	文件：1.10606 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	MGW20N60D		24+	N/A	3000		詢(xún)價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	MGW20N60D	MOTOROLA/摩托羅拉	2021+	SMD	100500	一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢(xún)價(jià)
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更多MGW20N60D供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 10:20:00

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