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MGFS45V2123A規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The MGFS45V2123A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 2.1 - 2.3 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
Class A operation
Internally matched to 50(ohm) system
High output power
P1dB = 32W (TYP.) @ f=2.1 - 2.3 GHz
High power gain
GLP = 12 dB (TYP.) @ f=2.1 - 2.3GHz
High power added efficiency
P.A.E. = 45 (TYP.) @ f=2.1 - 2.3GHz
Low distortion [item -51]
IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.
APPLICATION
item 01 : 2.1 - 2.3 GHz band power amplifier
item 51 : 2.1 - 2.3 GHz band digital radio communication
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MGFS45V2123A
- 制造商:
MITSUBISHI
- 制造商全稱:
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述:
2.1 - 2.3GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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MIT |
23+ |
NA/ |
1 |
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詢價(jià) | ||
24+ |
MODULE |
2100 |
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詢價(jià) | |||
MIT |
24+ |
NA |
990000 |
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MITSUBISHI |
2017+ |
SMD |
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詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
10+ |
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MIT |
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MITSUBISH |
24+ |
SMD |
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MITSUBISH專營品牌原裝正品假一罰十 |
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MIT |
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三菱 |
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MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
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詢價(jià) |