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MGFS45V2123中文資料三菱電機數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MGFS45V2123規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The MGFS45V2123 is an internally impedance matched GaAs power FET especially designed for use in 2.1~2.3 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
● Class A operation
● Internally matched to 50 (Ω) system
● High output power
P1dB=30W (TYP.) @f=2.1~2.3GHz
● High power gain
GLP=12dB (TYP.) @f=2.1~2.3GHz
● High power added efficiency
ηadd=45 (TYP.) @f=2.1~2.3GHz
● Loe distortion [item -51]
IM3= -45dBc (TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L
APPLICATION
item 01 : 2.1~2.3GHz band power amplifier
item 51 : 2.1~2.3GHz band digital radio communication
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MGFS45V2123
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
2.1 - 2.3GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
23+ |
NA/ |
1 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
MITSUBIS |
24+ |
模塊 |
16800 |
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詢價 | ||
MIT |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
MITSUBISHI |
10+ |
N/A |
11 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
MITSUBISHI |
2017+ |
SMD |
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只做原裝正品假一賠十! |
詢價 | ||
MIT |
N/A |
90000 |
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詢價 | |||
MITSUBI |
24+ |
SMD |
1680 |
一級代理原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
MIT |
SMD |
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詢價 | |||
三菱 |
23+ |
高頻管 |
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MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 |
