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MGFK38V2732中文資料三菱電機數據手冊PDF規(guī)格書

MGFK38V2732
廠商型號

MGFK38V2732

功能描述

12.7-13.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET????

文件大小

51.38 Kbytes

頁面數量

1

生產廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機

中文名稱

三菱電機半導體(Mitsubishi Electric Semiconductor)官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-15 23:03:00

MGFK38V2732規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGFK38V2732 is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic The MGFC45V5053A is an internally impedance matched package guarantees high reliability.

FEATURES

● Internally impedance matched

● High output power

P1dB = 6 W (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz

● High power gain

GLP = 6.0 dB (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz

● High power added efficiency

ηadd = 23 (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz, P1dB

APPLICATION

For use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers

產品屬性

  • 型號:

    MGFK38V2732

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    12.7-13.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
2017+
SMD
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MITSUBISHI/三菱
24+
199
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5500
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23+
13000
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