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MGFK35V2732中文資料三菱電機數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGFK35V2732
廠商型號

MGFK35V2732

功能描述

12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET?

文件大小

100.26 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機

中文名稱

三菱電機株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 21:21:00

MGFK35V2732規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGFK35V2732 is an internally impedance matched GaAs power FET especially designed for use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

● Internally impedance matched

● High output power

P1dB = 3.5 W (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz

● High linear power gain

GLP = 7.0 dB (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz

● High power added efficiency

ηadd = 26 (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz, P1dB

APPLICATION

For use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGFK35V2732

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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