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MID122

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR

Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.

DCCOM

Dc Components

MJD122

ComplementaryDarlingtonPowerTransistors

Features ?D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?ComplementtoMJD127

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD122

SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT

Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Sur

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJD122

ComplementaryDarlingtonPowerTransistors

Features ?D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?ComplementtoMJD127

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD122

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD122

LowvoltagepowerDarlingtontransistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD122

SiliconNPNepitaxialplanerTransistors

Features ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJD122

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR

Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.

DCCOM

Dc Components

MJD122

NPNPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS

Features: *HighDCcurrentgain *ElectricallysimilartopopularTIP122 *Built-inadamperdiodeatE-C

WEITRON

Weitron Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MAX122BENG

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）

  • 包裝：

    托盤

  • 位數(shù)：

    12

  • 采樣率（每秒）：

    333k

  • 輸入數(shù)：

    1

  • 輸入類型：

    單端

  • 數(shù)據(jù)接口：

    并聯(lián)

  • 配置：

    S/H-ADC

  • 比率 - S/H：

    1：1

  • 架構(gòu)：

    SAR

  • 參考類型：

    外部，內(nèi)部

  • 電壓 - 供電，模擬：

    5V，-10.8V ~ 15.75V

  • 電壓 - 供電，數(shù)字：

    5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    24-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-PDIP

  • 安裝類型：

    通孔

  • 描述：

    IC ADC 12BIT SAR 24DIP

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更多MAX122BENG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 18:15:00

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