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MAX11014	文件：945.83 Kbytes Page：69 Pages	AutomaticRFMESFETAmplifierDrain-CurrentControllers GeneralDescription TheMAX11014/MAX11015setandcontrolbiasconditionsfordualMESFETpowerdevicesfoundinpoint-topointcommunicationandothermicrowavebasestations.TheMAX11014integratescompletedualanalogclosed-loopdrain-currentcontrollersforClassAMESFETamplifieroperation	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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MAX11014BGTM	文件：945.83 Kbytes Page：69 Pages	AutomaticRFMESFETAmplifierDrain-CurrentControllers GeneralDescription TheMAX11014/MAX11015setandcontrolbiasconditionsfordualMESFETpowerdevicesfoundinpoint-topointcommunicationandothermicrowavebasestations.TheMAX11014integratescompletedualanalogclosed-loopdrain-currentcontrollersforClassAMESFETamplifieroperation	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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MJ11014	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MJ11014	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11014	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShun	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ11014	文件：20.02 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS) SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
MJ11014	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC?20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200C	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJ11014	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MJ11014	文件：51.89 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=90V(Min.) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=20A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=3.0V(Max.)@IC=20A ?ComplementtoTypeMJ11013 APPLICATIONS ?Designedforuseasoutputdevicesi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJ11014	文件：96.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
NKC11014A	文件：763.65 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
NKD11014A	文件：763.65 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
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NKH11014A	文件：663.21 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor/Diode	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
L11014JC
制造商：
LAUREL ELECTRONICS
功能描述：
Laureate 1/8 DIN digital panel meter, green LEDs, low voltage power 12-30 Vac or

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市華斯頓科技有限公司	L1101CN8	LINEAR	22+23+	N/A	23452	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	L1101CN8	LINEAR/凌特	23+	NA	13000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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更多L11014JC供應(yīng)商更新時間2024-11-18 14:52:00

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