MJ11014中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
MJ11014 |
| 功能描述 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| 文件大小 |
157.15 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-27 11:39:00 |
| 人工找貨 | MJ11014價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
MJ11014三極管、MJ11014晶體管、MJ11014晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
90V
- 最大電流允許值：
30A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDX68B...C,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
90
- htest：
4000100
- atest：
30
- wtest：
200
MJ11014規(guī)格書詳情
High-Current Complementary Silicon Transistors
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
? High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc
? Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor
? Junction Temperature to +200°C
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MJ11014
- 制造商：
Solid State Devices Inc(SSDI)
- 功能描述：
TO 3 30 Amp Darlington Transistors NPN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-03 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-3P |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
2020+ |
TO-03 |
80000 |
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詢價(jià) | |||
MOT/ON |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3P |
10 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/ON |
24+ |
TO-3 |
4650 |
詢價(jià) | |||
M |
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TO-3 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3 |
50000 |
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詢價(jià) | ||
SPTECH |
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