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KI60N03DFN	文件：565.24 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KSMD60N03L	文件：1.20491 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelMOSFETs	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
ME60N03	文件：1.01844 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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NP60N03KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N03KUG	文件：345.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP60N03SUG	文件：299.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP60N03SUG	文件：313.23 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?Highcurrentrating ID(DC)=±60A ?Lowinputcapacitance Ciss=5000pFTYP. ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N03SUG	文件：1.01894 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD60N03	文件：89.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET60Amps,28Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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