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NP60N03KUG	文件：345.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP60N03KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N03KUG	文件：1.13581 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 30 V (D-S) 175 ?C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP60N03KUG_15	文件：267.24 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N03SUG	文件：299.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP60N03SUG	文件：313.23 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?Highcurrentrating ID(DC)=±60A ?Lowinputcapacitance Ciss=5000pFTYP. ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N03SUG	文件：1.01894 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD60N03	文件：89.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET60Amps,28Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
P60N03LDG	文件：1.01773 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P60N03LR	文件：1.01771 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB60N03LT	文件：1.13467 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)175?CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDB60N03L	文件：519.27 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDP60N03L	文件：519.27 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SFB60N03L	文件：1.00147 Mbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFD60N03L	文件：992.35 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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SFP60N03L	文件：997.79 Kbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
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SSPR60N03	文件：1.3667 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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更多NP60N03KUG供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 12:48:00

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