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KEQ2014B	文件：35.7387 Mbytes Page：42 Pages	MAGNETIC POWDER CORES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
KSR2014	文件：32.31 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=4.7K?,R2=47K?) ?ComplementtoKSR1014	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
KTA2014	文件：279.33 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTC4075. ?SmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTA2014	文件：692.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Lowfrequencypoweramplifierapplication ?Powerswitchingapplication	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
KTA2014	文件：450.83 Kbytes Page：3 Pages	-0.15A,-50VPNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ?Lowfrequencypoweramplifierapplication ?Powerswitchingapplication	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KTA2014	文件：533.32 Kbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Lowfrequencypoweramplifierapplication ?Powerswitchingapplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
KTA2014	文件：202.58 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=200mW) ●ExcellenthFELinearity. ●ComplementarytoKTC4075. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
KTA2014	文件：1.19833 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KTA2014	文件：450.83 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KTA2014	文件：642.59 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTA2014	文件：1.36893 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowfrequencypoweramplifierapplication Powerswitchingapplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
KTA2014E	文件：690.43 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTC4075E. ?SmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTA2014F	文件：54.88 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTC4075F. ?ThinFinePitchSmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTA2014-G	文件：1.19833 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KTA2014-GR	文件：239.19 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Lowfrequencypoweramplifierapplication ?Powerswitchingapplication ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Halogenfreeavailableuponrequ	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
KTA2014-GR	文件：302.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
KTA2014-O	文件：239.19 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Lowfrequencypoweramplifierapplication ?Powerswitchingapplication ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Halogenfreeavailableuponrequ	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
KTA2014-O	文件：1.19833 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KTA2014V	文件：91.48 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTC4075V. ?VerySmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTA2014W	文件：182.04 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ?Powerdissipation.(PC=200mW) ?ExcellenthFELinearity. ?ComplementarytoKTC4075. ?Smallpackage. APPLICATIONS ?Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN

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