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PTB20111

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIPTB20111isDesignedforGeneralPurposeClassABPowerAmplifierApplicationsupto900MHz. FEATURES: ?25W,860-900MHz ?SiliconNitridePassivated ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

PTB20111

85Watts,860-900MHzCellularRadioRFPowerTransistor

Description The20111isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationfrom860to900MHz.Ratedat85wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareused

EricssonEricsson Microelectronics

愛立信

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更多K20111供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-17 14:02:00

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