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JANTXV2N5686

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/464

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JANTXV2N5686

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-204AE 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 80V 50A TO3

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N5686

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

Thesepackagesaredesignedforuseinhigh-poweramplifierandswitchingcircuitapplications. Features ?HighCurrentCapability-ICContinuous=50Amperes ?DCCurrentGain-hFE=15-60@IC=25Adc ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.0Vdc(Max)@IC=25Adc ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N5686

POWERTRANSISTORS(50A,300W)

HIGH-CURRENTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforuseinhigh–poweramplifierandswitchingcircuitapplications. ?ContinuousCollectorCurrent–IC=50A ?PowerDissipation–PD=300W@TC=25°C ?DCCurrentGain–hFE=15–60@IC=25A

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

2N5686

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/464

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5686

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

Thesepackagesaredesignedforuseinhigh-poweramplifierandswitchingcircuitapplications. Features ?HighCurrentCapability-ICContinuous=50Amperes ?DCCurrentGain-hFE=15-60@IC=25Adc ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.0Vdc(Max)@IC=25Adc ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N5686

High??urrentComplementarySiliconPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N5686

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5686

PowerTransistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2N5686

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2N5686

SINPNPOWERBJT

HIGH-CURRENTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforuseinhigh–poweramplifierandswitchingcircuitapplications. ?HighCurrentCapability–ICContinuous=50Amperes. ?DCCurrentGain–hFE=15–60@IC=25Adc ?LowCollector–EmitterSaturationVoltage–VCE(sat)=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N5686

HIGH-CURRENTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

HIGH-CURRENTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforuseinhigh–poweramplifierandswitchingcircuitapplications. ?HighCurrentCapability–ICContinuous=50Amperes. ?DCCurrentGain–hFE=15–60@IC=25Adc ?LowCollector–EmitterSaturationVoltage–VCE(sat)=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N5686G

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

Thesepackagesaredesignedforuseinhigh-poweramplifierandswitchingcircuitapplications. Features ?HighCurrentCapability-ICContinuous=50Amperes ?DCCurrentGain-hFE=15-60@IC=25Adc ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.0Vdc(Max)@IC=25Adc ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

JAN2N5686

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/464

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JANTX2N5686

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/464

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JANTXV2N5686

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/464

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    5V @ 10A，50A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 25A，2V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AE

  • 供應商器件封裝：

    TO-3

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 50A TO3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NO
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MICROSEMI
638
原裝正品
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Microsemi
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Microsemi
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JANTXV2N5794
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更多JANTXV2N5686供應商 更新時間2025-1-13 15:30:00

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