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IXYH50N120C3

1200V XPT IGBT GenX3

IXYS

IXYS Corporation

IXYH50N120C3

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 100A 750W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT

DESCRIPTION ·HighCurrentHandlingCapability ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·OptimizedforLowSwitchingLosses APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·LowGateDriveRequirement

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXYH50N120C3D1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 90A 625W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGH50N120C3

GenX31200VIGBT

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYH50N120C3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    3mJ(開),1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    28ns/133ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,50A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXYH)

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A 750W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-247-3
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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IXYS
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TO247 (IXYH)
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TO247 (IXYH)
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IXYS
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TO247 (IXYH)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IXYS(艾賽斯)
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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更多IXYH50N120C3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 14:13:00