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IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT

DESCRIPTION ·HighCurrentHandlingCapability ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·OptimizedforLowSwitchingLosses APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·LowGateDriveRequirement

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXYH50N120C3D1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 90A 625W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXYR50N120C3D1

1200VXPTTMIGBTGenX3TMw/Diode

High-SpeedIGBT for20-50kHzSwitching Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond (DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface ?2500V~ElectricalIsolation ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) ?Anti-ParallelUltraFast

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYH50N120C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    3mJ(開(kāi)),1mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    28ns/133ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,50A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXTH)

  • 描述:

    IGBT 1200V 90A 625W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Littelfuse/IXYS
新批次
TO-247
4500
詢(xún)價(jià)
Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
928
原廠(chǎng)訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢(xún)價(jià)
IXYS
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢(xún)價(jià)
IXYS
23+
TO-247
10000
全新、原裝
詢(xún)價(jià)
IXYS
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
詢(xún)價(jià)
IXYS
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原廠(chǎng)渠道,現(xiàn)貨配單
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