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IXTH6N150

High Voltage Power MOSFETs

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●MoldingEpoxiesWeetUL94V-0 FlammabilityClassification ●FastIntrinsicDiode ●LowPackageInductance Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Ap

IXYS

IXYS Corporation

IXTH6N150

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·HighVoltagePowerSupplies ·CapacitorDischargeApplications ·PulseCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTJ6N150

HighVoltagePowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTT6N150

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●MoldingEpoxiesWeetUL94V-0 FlammabilityClassification ●FastIntrinsicDiode ●LowPackageInductance Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Ap

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IXYS Corporation

IXTT6N150

HighVoltagePowerMOSFETs

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●MoldingEpoxiesWeetUL94V-0 FlammabilityClassification ●FastIntrinsicDiode ●LowPackageInductance Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Ap

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IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTH6N150

  • 功能描述：

    MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價
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IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
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只做原裝,實(shí)單最低價支持
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更多IXTH6N150供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 17:17:00

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