首頁 >IXTA1N80>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

MTD1N80E

TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHM

ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignal

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP1N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP1N80E

TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHMS

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PJP1N80

800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES ?1A,800V,RDS(ON)=16?@VGS=10V,ID=0.5A ?LowONResistance ?FastSwitching ?LowGateCharge ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS ?IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJU1N80

800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES ?1A,800V,RDS(ON)=16?@VGS=10V,ID=0.5A ?LowONResistance ?FastSwitching ?LowGateCharge ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS ?IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

SSF1N80D

MainProductCharacteristics

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司

SW1N80A

N-channelMOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

SWC1N80A

N-channelMOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

TSM1N80

N-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM1N80

800VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheTSM1N80isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesig

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTA1N80

  • 功能描述：

    MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-263AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
24+
TO-263
501583
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-263
8866
詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO-263-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
AME
23+
TO-263-2
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-263
1675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
更多IXTA1N80供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 14:13:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多