首頁>IXGT30N120B3D1>芯片詳情

IXGT30N120B3D1_IXYS_IGBT 晶體管 60 Amps 1200V中天科工一部

IXGT30N120B3D1

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IXGT30N120B3D1

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IXYS/IXYS Corporation

  • 庫存數(shù)量:

    30000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫存類型:

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-26 11:44:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):IXGT30N120B3D1品牌:IXYS

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

  • 芯片型號(hào):

    IXGT30N120B3D1

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    221.58 kb

  • 資料說明:

    GenX3 1200V IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    IXGT30N120B3D1

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 60 Amps 1200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機(jī):

    13128990370

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真:

    原裝正品

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B