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IXGR32N90B2D1

HiPerFASTTM IGBT with Fast Diode

IXYS

IXYS Corporation

IXGR32N90B2D1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXGH32N90B2D1

HiPerFASTIGBTwithFastDiode

B2-ClassHighSpeedIGBTswithUltrafastDiode Features ?HighfrequencyIGBT ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?PFCcircuits ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switched-modeandresonant-mode powersupplies ?ACmotorspe

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IXGT32N90B2D1

HiPerFASTIGBTwithFastDiode

B2-ClassHighSpeedIGBTswithUltrafastDiode Features ?HighfrequencyIGBT ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?PFCcircuits ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switched-modeandresonant-mode powersupplies ?ACmotorspe

IXYS

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGR32N90B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，32A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    20ns/260ns

  • 測(cè)試條件：

    720V，32A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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ISOPLUS247?
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS/艾賽斯
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ISOPLUS247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
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ISOPLUS247?
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
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獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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更多IXGR32N90B2D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 10:18:00

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