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SCT20N120

Veryhighoperatingtemperaturecapability

Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETisproducedexploitingtheadvanced,innovativepropertiesofwidebandgapmaterials.Thisresultsinunsurpassedon-resistanceperunitareaandverygoodswitchingperformancealmostindependentoftemperature.Theoutstandingthermalpropertiesof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SCT20N120AG

Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,20A,189m廓(typ.,TJ=150?C),inanHiP247package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SCT20N120H

SiliconcarbidePowerMOSFET1200V,20A,189mΩ(typ.,TJ=150°C),inanH2PAK-2package

Features ?Verytightvariationofon-resistancevs.temperature ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=175°C) ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Lowcapacitance Applications ?Solarinverters,UPS ?Motordrives ?HighvoltageDC-DCconverters ?Switch

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SCT20N120H

SiCN-ChannelMOSFET

FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·EasytoParallelandSimpletoDrive ·AvalancheRuggedness APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageDC/DCConverters ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGH20N120RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGH20N120RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

TRS20N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=57nC(typ.) (4)Lowreversecurre

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFX20N120P

  • 功能描述：

    MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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PLUS247
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更多IXFX20N120P供應(yīng)商 更新時間2025-3-30 10:12:00

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