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IXFM21N50

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFM21N50

HIPERFET Power MOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFM21N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFT21N50F

HiPerRFPowerMOSFETs

HiPerRFPowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRg HighdV/dt,Lowtrr Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance

IXYS

IXYS Corporation

IXFT21N50Q

HiPerFETPowerMOSFETsMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXTH21N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH21N50

MegaMOSFET

N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages LowRDS(on)HDMOS?process Ruggedpolysilicongatecellstructure Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH21N50

N-ChannelEnhancementMode

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IXTM21N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTM21N50

MegaMOSFET

N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages LowRDS(on)HDMOS?process Ruggedpolysilicongatecellstructure Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTM21N50

N-ChannelEnhancementMode

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

SMOS21N50

PowerMOSFETs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SMOS21N50

PowerMOSFETs

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類(lèi)制造商

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFM21N50

  • 功能描述：

    MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
103
詢(xún)價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
專(zhuān)業(yè)鐵帽
TO-3
120
原裝鐵帽專(zhuān)營(yíng),代理渠道量大可訂貨
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
專(zhuān)業(yè)鐵帽
TO-3
67500
鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
10000
公司只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-264
6000
十年配單,只做原裝
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-264
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264 PLUS
52388
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
IXYS
24+
TO-264
12300
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
更多IXFM21N50供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 15:30:00

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