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IXFK27N80Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXFK27N80Q
廠商型號(hào)

IXFK27N80Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

文件大小

55.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 22:30:00

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IXFK27N80Q規(guī)格書(shū)詳情

Single MOSFET Die

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr

Features

? IXYS advanced low Qg process

? Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

? International standard packages

? Low RDS (on)

? Rated for unclamped Inductive load switching (UIS) rated

? Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

? DC-DC converters

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode power supplies

? DC choppers

? AC motor control

? Temperature and lighting controls

Advantages

? PLUS 247? package for clip or spring mounting

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFK27N80Q

  • 功能描述:

    MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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