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IXFH6N100Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH6N100Q
廠商型號

IXFH6N100Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

文件大小

124.68 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-3 11:12:00

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IXFH6N100Q規(guī)格書詳情

Features

● IXYS advanced low Qg process

● Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

● International standard packages

● Low RDS (on)

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH6N100Q

  • 功能描述:

    MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
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